• ВХОД

    •  

    Полное описание

    W8956/2008, Vol. 85, Iss. 1
     International symposium on advanced gate stack technology (3rd ; 2006 ; Austin(Tx)). Including selected papers from the third IEEE International symposium on advanced gate stack technology (ISAGST) held in Austin, Texas, USA in 2006 / International symposium on advanced gate stack technology (3rd ; 2006 ; Austin(Tx)) ; ed.: H. -H. Tseng, B. H. Lee. - Amsterdam [etc.] : Elsevier, 2008. - 244 p. : ill. - (Microelectronic engineering, ISSN 0167-9317 ; 2008, Vol. 85, Iss. 1). - Библиогр. в конце ст. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
    ГРНТИ УДК
    47.33621.382.032.27(063)

    Рубрики:
    Электроды полупроводниковых приборов -- Съезды и конференции

    Доп. точки доступа:
    Tseng, H.-H.\ed.\
    Lee, B. H.\ed.\
    Экз-ры полностью W8956/2008, Vol. 85, Iss. 1
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ЧЗХР (1)
    Свободны: ЧЗХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽