• ВХОД
  •  

    Полное описание

    W8873/Vol.14,N 1,1996
    International workshop on the measurement and characterization of ultra-shallow doping profiles in semiconductors (3 ; 1995 ; S.l.). Papers from the third International workshop on the measurement and characterization of ultra-shallow doping profiles in semiconductors and papers from the third International workshop on advanced plasma tools... / International workshop on the measurement and characterization of ultra-shallow doping profiles in semiconductors (3 ; 1995 ; S.l.) ; Ed. G. E. McGuire. - New York, NY : Amer.vacuum soc., 1996. - A24,583 p. p. - (Journal of vacuum science & technology B., ISSN 0734-211X ; vol.14,N 1,1996). - Б. ц. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.в конце статей
    ГРНТИ УДК
    47.09.29621.315.592.002:669(063)

    Рубрики:
    Полупроводники -- Легирование -- Съезды и конференции

    Кл.слова (ненормированные): полупроводник
    Доп. точки доступа:
    McGuire, G.E.\ed.\
    Экз-ры полностью W8873/Vol.14,N 1,1996
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽