Полное описание

W8873/1999,Vol.17,N 4
Conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (26th ; 1999 ; San Diego(Ca)). Papers from the 26th conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces, 17-21 Jan.1999, San Diego(Ca) / Conference on the physics and chemistry of semiconductor interfaces (26th ; 1999 ; San Diego(Ca)) ; Ed. J. E. Rowe. - New York, 1999. - 1309-1895 p. p. : ill. - (Journal of vacuum science & technology B, ISSN 0734-211X ; 1999,Vol.17,N 4). - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце ст.Указ:с.1891-1895

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:532.6(063)
47.33	621.315.592.9(063)

Рубрики:
Полупроводники -- Поверхностные явления -- Съезды и конференции
Гетероструктуры -- Съезды и конференции

Кл.слова (ненормированные): полупроводник -- электронно-дырочный переход
Доп. точки доступа:
Rowe, J.E.\ed.\

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ЧЗ (1)
Свободны: ЧЗ (1)