Полное описание

S/378/114
Feng, Y. Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models : diss. / Y.Feng. - dusseldorf : VDI Verl., 1991. - 171 p. : ill. - (Fortschritt-Berichte VDI. Reihe 9, Elektronik / Verein Dt.Ing., ISSN 0178-9422 ; n114). - ISBN 3-18-1414109-3 : 50000 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.93-100

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323-047.58(043)

Рубрики:
МОП-транзисторы -- Моделирование

Кл.слова (ненормированные): моп-транзистор
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽