Полное описание

R/446/R 13669
Gosling, T. J. Strain in heavily doped GexSi1-x epitaxial layers and its effect on the indirect band gap of these layers / T.J.Gosling,S.C.Jain,D.H.J.Totterdell. - Harwell : [s. n.], 1989. - II,7 p. p. : ill. - (Report / Great Britain.Atomic energy authority.Research group ; r 13669). - ISBN 0-7058-1561-7 : 8.00 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.6

ГРНТИ	УДК
47.13.11	621.315.592-416.002:669

Рубрики:
Германий, силициды, пленки -- Легирование

Кл.слова (ненормированные): германия
Доп. точки доступа:
Jain, S.C.
Totterdell, D.H.J.

Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽