Полное описание

R/446/R 13640
Jain, S. C. Devices based on GexSi1-x strained layers and superlattices / S.C.Jain,D.H.J.Totterdell. - S.l. : [s. n.], 1989. - 17 p. : ill. - (Report / Great Britain.Atomic energy authority.Research group ; r 13640). - ISBN 0-7058-1599-4 : 8.00 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.15-17

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382

Рубрики:
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковый прибор
Доп. точки доступа:
Totterdell, D.H.J.

Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽