Полное описание

R/2657/2418
Karthaus, E. Kristallwachstum von GeSi-Legierungen beim Bridgman-Verfahren : Diss. / E.Karthaus. - J@:ulich : [s. n.], 1991. - 151 S. : Ill. - (Berichte / Kernforschungsanlage(Julich), ISSN 0366-0885 ; N2418). - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с.95-100
Перевод заглавия: Рост кристаллов сплавов GeSi по методу Бриджмена:Дис.

ГРНТИ	УДК
31.17.15	546.289'281:542.65

Рубрики:
Германий, соединения -- Кристаллизация

Кл.слова (ненормированные): германий
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽