• ВХОД
  •  

    Полное описание

    R/1872/922
    Kawanami, H. Study of the initial stages of molecular beam epitaxial growth of III-V compound semiconductors on silicon / H.Kawanami. - Tokyo : [s. n.], 1991. - 87 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; n922). - 1.00 р. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.:с.78-87
    Перевод заглавия: Изучение начальных стадий молекулярно-пучкового эпитаксиального роста пленок полупроводников III-V групп на кремнии
    ГРНТИ УДК
    29.19.31537.311.322:539.23

    Рубрики:
    Полупроводниковые пленки -- Производство

    Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые пленкиЭкз-ры полностью R/1872/922
    Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХР (2)
    Свободны: ХР (2)



    Заказ фрагмента документа ₽