Полное описание

R/17927/MAS-R0110
Superfast fronts of impact ionization in initially unbiased layered semiconductor structures / P.B.Rodin,U.M.Ebert,W.H.Hundsdorfer,I.V.Grekhov. - Amsterdam : [s. n.], 2001. - 18 p. : ill. - (Report:Modelling, analysis and simulation / CWI, ISSN 1386-3703 ; MAS-R0110). - 20.00 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с.11-12

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9

Рубрики:
Гетеропереходы

Кл.слова (ненормированные): гетеропереход
Доп. точки доступа:
Rodin, P.B.
Ebert, U.M.
Hundsdorfer, W.H.
Grekhov, I.V.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽