Полное описание
>
Aleiner, I. L. Theory of Andreev reflection in a junction with a strongly disordered semiconductor / I.L.Aleiner,P.Clarke,L.I.Glazman. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 1996. - 4 p. : 2 l.ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 96/7). - 1000 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.4
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9 |
Рубрики:
Гетеропереходы
Кл.слова (ненормированные): гетеропереход
Доп. точки доступа:
Clarke, P.
Glazman, L.I.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽