• ВХОД
  •  

    Полное описание

    R/17401/2002/162
    Suh, S. -M. Numerical modeling of silicon oxide particle formation and transport in a one-dimensional low-pressure chemical vapor deposition reactor / S.-M.Suh,M.R.Zachariah,S.L.Girshick. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2002. - 943-959 p. p. : ill. - (UMSI research report / Univ. of Minnesota ; 2002/162). - 10.00 р. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.: с.958-959
    ГРНТИ УДК
    31.17.15546.28-31.03:539.216.2

    Рубрики:
    Кремний, диоксид, пленки -- Производство

    Кл.слова (ненормированные): кремний
    Доп. точки доступа:
    Zachariah, M.R.
    Girshick, S.L.
    University of Minnesota (Minneapolis, Mn). Supercomputer institute
    Экз-ры полностью R/17401/2002/162
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽