• ВХОД
  •  

    Полное описание

    R/17401/2001/165
    Ogut, S. Ab initio investigation of point defects in bulk Si and Ge using a cluster method / S.Ogut,J.R.Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2001. - 11 l. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 2001/165). - 20.00 р. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.в конце кн.
    ГРНТИ УДК
    29.19.31537.311.322:548.4

    Рубрики:
    Кремний -- Кристаллы -- Дефекты
    Германий -- Кристаллы -- Дефекты

    Кл.слова (ненормированные): кремний -- германия
    Доп. точки доступа:
    Chelikowsky, J.R.
    Экз-ры полностью R/17401/2001/165
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽