Полное описание
>
Ogut, S. Ab initio investigation of point defects in bulk Si and Ge using a cluster method / S.Ogut,J.R.Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2001. - 11 l. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 2001/165). - 20.00 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце кн.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:548.4 |
Рубрики:
Кремний -- Кристаллы -- Дефекты
Германий -- Кристаллы -- Дефекты
Кл.слова (ненормированные): кремний -- германия
Доп. точки доступа:
Chelikowsky, J.R.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽