Полное описание

R/17401/2000/115
Kim, H. Electronic and structural properties of the As vacancy on the (110) surface of GaAs / H.Kim,J.R.Chelikowsky. - Minneapolis(Mn) : [s. n.], 2000. - 8 p. : ill. - (UMSI research report / Univ.of Minnesota ; 2000/115). - 10.00 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.7-8

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:532.6

Рубрики:
Галлий, арсениды -- Поверхностные явления

Кл.слова (ненормированные): галлий
Доп. точки доступа:
Chelikowsky, J.R.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽