Полное описание
>
Design considerations for MOS pixel for single-sided two-dimensional detector / S.Avrillon,H.Ikeda,T.Matsuda и др. - Tsukuba : [s. n.], 1994. - 21 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 94-36). - 500 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.11
ГРНТИ | УДК | |
29.15.39 | 539.1.074.55 |
Рубрики:
Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые
Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые детекторы
Доп. точки доступа:
Avrillon, S.
Ikeda, H.
Matsuda, T.
Saitoh, Y.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽