Полное описание
>
Radiation damage of 1.0 um CMOS VLSI as a function of latchup immunity / Y.Saitoh,T.Akiba,H.Konishi и др. - Tsukuba : [s. n.], 1992. - 6 p. : ill. - (KEK preprint / Nat.lab.for high energy physics ; 92-173). - 10 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.6
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382.323:539.16 |
Рубрики:
МОП-транзисторы -- Влияние ионизирующих излучений
Доп. точки доступа:
Saitoh, Y.
Akiba, T.
Konishi, H.
Watanabe, H.
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽