Полное описание

R/15656/95-01
Nawaz, M. Analytical and numerical study of GaAs/AlGaAs based multiple quantum wells heigh electron mobility transistors (HEMTs) / M.Nawaz,G.U.Jensen. - Oslo : [s. n.], 1995. - 13 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 95-01). - 200 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.9

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323

Рубрики:
Транзисторы полевые

Кл.слова (ненормированные): транзистор
Доп. точки доступа:
Jensen, G.U.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽