Полное описание

R/15656/90-23
Turan, R. Noneguilibrium diffusion of dopants in silicon: numerical solutions of the diffusion eguation, application to redistribution of ion implanted dopants in (111) resrystallized silicon / R.Turan. - Oslo : [s. n.], 1990. - 23 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo, ISSN 0332-5571 ; 90-23). - 1.00 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с.7-8

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:539.219.3

Рубрики:
Кремний -- Диффузия

Кл.слова (ненормированные): кремний
Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽