Полное описание

R/11911/244
Growth of AgGaS2 single crystals by chemical transport reaction / Y.Noda,T.Kurasawa,N.Sugai и др. - Sendai : [s. n.], 1990. - 6(757-761) p. p. : ill. - (The science report / Research institute for electric and magnetic materials(Sedai) ; n244). - 0.50 р. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с.760-761. Repr. from j. of crystal growth Vol.99(1990)757-761

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383.002.3

Рубрики:
Оптоэлектронные приборы -- Материалы

Кл.слова (ненормированные): оптоэлектронный прибор -- магнитный материал
Доп. точки доступа:
Noda, Y.
Kurasawa, T.
Sugai, N.

Имеются экземпляры в отделах: всего 3 : ХР (1), (2)
Свободны: ХР (1), (2)
Копия:

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽