Полное описание

J2/27781
Lundstrom, M. S. Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation / M. S. Lundstrom, J. Guo. - New York, NY [etc.] : Springer sci. + Business Media, 2006. - VI, 217 p. : ill. - Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 213-217. - ISBN 0-387-28002-2 : 2728.63 р. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.3-022.532

Рубрики:
Транзисторы

Доп. точки доступа:
Guo, J.

Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХР (1), (1)
Свободны: ХР (1), (1)
Копия:

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽