Полное описание
>
Goldhorn, A. Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP/InGaAs fur die Integration optischer Empfanger : Diss. / A.Goldhorn. - Darmstadt : [s. n.], 1997. - xiv,96 S. S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.91-96
ГРНТИ | УДК | |
47.33.33 | 621.396.624(043) |
Рубрики:
Приемники излучения
Кл.слова (ненормированные): приемник>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽