• ВХОД
  •  

    Полное описание

    G2/29641
    Goldhorn, A. Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP/InGaAs fur die Integration optischer Empfanger : Diss. / A.Goldhorn. - Darmstadt : [s. n.], 1997. - xiv,96 S. S. : Ill. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.:с.91-96
    ГРНТИ УДК
    47.33.33621.396.624(043)

    Рубрики:
    Приемники излучения

    Кл.слова (ненормированные): приемникЭкз-ры полностью G2/29641
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽