Полное описание

G2/21094
Duschl, R. Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden : Diss. / R.Duschl. - Stuttgart : [s. n.], 2000. - 133 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.119-127

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.2:530.145(043)

Рубрики:
Диоды туннельные

Кл.слова (ненормированные): туннельный диод
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽