Полное описание
>
Duschl, R. Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden : Diss. / R.Duschl. - Stuttgart : [s. n.], 2000. - 133 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.119-127
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382.2:530.145(043) |
Рубрики:
Диоды туннельные
Кл.слова (ненормированные): туннельный диод>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽