• ВХОД
  •  

    Полное описание

    G2/21012
    Radiation resistance of GaAs-based microwave schottky-barrier devices : some physico-technological aspects / A.E.Belyaev,J.Breza,E.F.Venger и др. - Киiв : "Iнтерпрес", 1998. - 127 p. : ill. - ISBN 966-501-024-7 : 3.00 р. - Текст : непосредственный.
    В надзаг.Slovak univ.techn.Рез.укр.Библиогр.:с.119-127
    ГРНТИ УДК
    29.35.47621.382.029.6:539.16

    Рубрики:
    Полупроводниковые приборы СВЧ -- Влияние ионизирующих излучений

    Кл.слова (ненормированные): полупроводниковый прибор
    Доп. точки доступа:
    Belyaev, A.E.
    Breza, J.
    Venger, E.F.
    Vesely, M.
    Экз-ры полностью G2/21012
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽