Полное описание

G2/19773
Ruhnau, U. Epitaktisches Wachstum von ss-SiC-Schichten auf Siliziumsubstraten durch chemische Gasphasenabscheidung : Diss. / U.Ruhnau. - Stuttgart : [s. n.], 1996. - 100 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.97-100

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:539.23(043)

Рубрики:
Полупроводниковые пленки -- Производство

Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые пленки
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽