• ВХОД
  •  

    Полное описание

    G2/18654
    Moser, M. Ordnungseffekte bei der Gasphasenepitaxie von GaInP/AlGaInP-Halbleiterlasern : Diss. / M.Moser. - Stuttgart : [s. n.], 1994. - 134 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.:с.124-131
    ГРНТИ УДК
    47.35.31621.373.826.038.825.5.002(043)

    Рубрики:
    Лазеры полупроводниковые -- Производство
    Экз-ры полностью G2/18654
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽