Полное описание
>
Moser, M. Ordnungseffekte bei der Gasphasenepitaxie von GaInP/AlGaInP-Halbleiterlasern : Diss. / M.Moser. - Stuttgart : [s. n.], 1994. - 134 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.124-131
ГРНТИ | УДК | |
47.35.31 | 621.373.826.038.825.5.002(043) |
Рубрики:
Лазеры полупроводниковые -- Производство
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽