Полное описание
>
Lee, G. Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee. - Hannover : [s. n.], 1992. - 127 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.116-121
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382.323(043) |
Рубрики:
Транзисторы полевые
>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽