• ВХОД
  •  

    Полное описание

    G2/17616
    Lee, G. Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee. - Hannover : [s. n.], 1992. - 127 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.:с.116-121
    ГРНТИ УДК
    47.33621.382.323(043)

    Рубрики:
    Транзисторы полевые
    Экз-ры полностью G2/17616
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽