Полное описание

G2/17077
Zhang, Y. -H. Herstellung, Struktur und elektronische Eigenschaften von Ga x In1-x As/Al y In1-y As Heterostrukturen auf InP-Substrat : Diss. / Y.-H.Zhang. - Stuttgart : [s. n.], 1991. - 147 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.137-144

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9(043)

Рубрики:
Гетеропереходы

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽