• ВХОД
  •  

    Полное описание

    G2/16681
    Otterbach, W. Herstellung,Eigenschaften und Anwendungen von Dunnschichttransistoren aus amorphem Silizium fur die Grossflachenelektronik : Diss. / W.Otterbach. - Stuttgart : [s. n.], 1990. - 137 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.:с.125-136
    ГРНТИ УДК
    47.33621.382.3-416(043)

    Рубрики:
    Транзисторы тонкопленочные

    Кл.слова (ненормированные): тонкопленочный транзисторЭкз-ры полностью G2/16681
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽