Полное описание
>
Otterbach, W. Herstellung,Eigenschaften und Anwendungen von Dunnschichttransistoren aus amorphem Silizium fur die Grossflachenelektronik : Diss. / W.Otterbach. - Stuttgart : [s. n.], 1990. - 137 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.125-136
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382.3-416(043) |
Рубрики:
Транзисторы тонкопленочные
Кл.слова (ненормированные): тонкопленочный транзистор>
Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Заказ фрагмента документа ₽