• ВХОД
  •  

    Полное описание

    G2/16649
    Spachmann, J. Herstellung,Eigenschaften und Anwendungen schnell schaltender Dunnschichttransistoren mit polykristallinem CdSe als Halbleiter : Diss. / J.Spachmann. - Stuttgart : [s. n.], 1991. - 169 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
    Библиогр.:с.163-168
    ГРНТИ УДК
    47.33621.382.3-416(043)

    Рубрики:
    Транзисторы тонкопленочные

    Кл.слова (ненормированные): тонкопленочный транзисторЭкз-ры полностью G2/16649
    Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
    Свободны: ХР (1)



    Заказ фрагмента документа ₽