Полное описание

96/133
Графическая модель двух областей насыщения биполярных транзисторов и ее применение в моделирующей программе SPICE / ТПП БССР. - [Б. м. : б. и.]. - 7 c. : ил. - англ. - Пер. ст. A draphical model for two-region saturation in bipolar transistors and its implementayion in the modeling program SPICE / S. A. Smithies, Poole из журн.: // Journal of Solid-State Circuits. - 1987. - Vol. 22, N 2. - P.301-303. - Б. ц. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:20 назв.
ГРНТИ 47.33

Рубрики:
Транзисторы биполярные

Кл.слова (ненормированные): транзистор -- насыщение -- моделирование
Доп. точки доступа:
Smithies, S. A.

Имеются экземпляры в отделах: всего 1 : ХР (1)
Свободны: ХР (1)
Копия: мкф.

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽