Полное описание

93364
Акчурин, Р. Х. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники : учебное пособие / Акчурин Р. Х. - Москва : Техносфера, 2018. - 488 с. - URL: https://www.iprbookshop.ru/93364.html (дата обращения: 11.04.2023) . - Режим доступа: ЭБС IPR SMART. - ISBN 978-5-94836-521-3 : Б. ц.

Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

	УДК
	621.382

	ББК
	31.2

Кл.слова (ненормированные): гидридные источники -- мос-источники -- фотоника -- электроника -- эпитаксия
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Доп. точки доступа:
Мармалюк, А. А.

Перейти к просмотру издания
Обложка книги

Просмотр издания ЭБС IPR SMART