Приложение
для AndroidПолное описание
| УДК | |
| 537.22 |
| ББК | |
| 22.379 |
Аннотация: Рассмотрены физические свойства и закономерности формирования полупроводниковых наногетероструктур с промежуточной подзоной. Представлены механический и термодинамический подходы к описанию самоорганизованного роста в процессе релаксации механически напряженных гетеросистем с различающимися параметрами кристаллических решеток. Описаны методы получения и аналитические методики исследования свойств полупроводниковых наноструктур. Основное внимание уделено новому перспективному ростовому методу — ионно-лучевой кристаллизации. Проведены исследования массопереноса и закономерностей формирования гетероструктур с квантовыми точками, полученных ионно-лучевой кристаллизацией. Развит математический аппарат функций Грина и получены данные о распределении механических напряжений в нанослоях, содержащих включения кубической, гексагональной и пирамидальной формд ля гетеросистемInAs/GaAs(111), InN/AlN(0001), InAs/GaAs(001). Проведено моделирование, выращены и измерены характеристики прототипов фотоэлектрических преобразователей с промежуточной энергетической подзоной для прямозонных и непрямозонных наногетеросистем.Книга предназначена научными инженерно-техническим работникам, специализирующимся в области физики и технологии полупроводниковой оптоэлектроники.
Доп. точки доступа:
Калинчук, В. В.
Лунин, Л. С.
Физматлит
https://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=485236
Держатели документа:
ЭБС Университетская библиотека онлайн : 117342, г. Москва, ул. Обручева, д. 34/63, стр. 3 (Шифр в БД-источнике (BIBLIO): 485236)
Шифр в сводном ЭК: 8cddc09ffa24b91f13e9db7942ca2f53
Просмотр издания Электронно-библиотечная система "Университетска библиотека ONLINE", требуется авторизация