Полное описание

Копьев, В. В. Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN : 01.04.10 - Физика полупроводников: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / В. В. Копьев. - 2019. - 21 с. : ил. - Библиогр.: с. 16-21. - 100 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383.52(043)

Кл.слова (ненормированные): НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- НИТРИД ГАЛЛИЯ -- НИТРИД ИНДИЯ-ГАЛЛИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СВЕТОДИОДЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар19-8237)

Шифр в сводном ЭК: 7b34a043d6de7c73e5b5b02c6536dfd2

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽