Полное описание

Чеботарев, С. Н. Полупроводниковые наногетероструктуры с промежуточной подзоной / С. Н. Чеботарев, В. В. Калинчук, Л. С. Лунин. - М. : Физматлит, 2016. - 253 с. : ил. - Библиогр.: с. 174-191 (253 назв.). - 300 экз. - ISBN 978-5-9221-1694-7. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9-022.532

Рубрики:
Наногетероструктуры полупроводниковые

Аннотация: Рассмотрены физические свойства и закономерности формирования полупроводниковых наногетероструктур с промежуточной подзоной. Представлены механический и термодинамический подходы к описанию самоорганизованного роста в процессе релаксации механически напряженных гетеросистем с различающимися параметрами кристаллических решеток. Описаны методы получения и аналитические методики исследования свойств полупроводниковых наноструктур. Основное внимание уделено новому перспективному ростовому методу - ионно-лучевой кристаллизации. Проведено моделирование, выращены и измерены характеристики прототипов фотоэлектрических преобразователей с промежуточной энергетической подзоной для прямозонных и непрямозонных наногетеросистем. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики и технологии полупроводниковой оптоэлектроники.
Доп. точки доступа:
Калинчук, В.В.
Лунин, Л.С.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-16/36264)

Шифр в сводном ЭК: 7277792f2d3dda2303c061f86fb489ae

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽