Полное описание
> Светухина, О. С. Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n-переходов на основе фосфида галлия : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / О. С. Светухина. - Ульяновск, 2004. - 22 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 21-22 (10 назв.).
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар04-10102)>
Шифр в сводном ЭК: 6ed80488e352ba1cd9b58bb51abc1f22
Заказ фрагмента документа ₽