Полное описание

Суховеев, В. А. Выращивание кристаллов и эпитаксиальных слоев нитрида галлия из растворов-расплавов и исследование их физических свойств : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Суховеев. - СПб., 2000. - 19 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. :ос. АН. Физико-техн. ин-т им.А.Ф.Иоффе. Библиогр.:с. 18-19

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322(043)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР01-3049)

Шифр в сводном ЭК: 652a0ba22fb5e238f4ce87acd2aa9706

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽