Полное описание

Jain, S. C. Devices based on GexSi1-x strained layers and superlattices / S.C.Jain,D.H.J.Totterdell. - S.l. : [s. n.], 1989. - 17 p. : ill. - (Report / Great Britain.Atomic energy authority.Research group ; r 13640). - ISBN 0-7058-1599-4. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.15-17

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382

Рубрики:
Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
Доп. точки доступа:
Totterdell, D.H.J.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/446/R 13640)

Шифр в сводном ЭК: 61306521203cd74e2851b47f9f2847ca

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽