Полное описание

Рогожин, А. Е. Свойства многослойных затворных структур МОП нанотранзисторов, на основе силицидов и диэлектриков с высоким "эпсилон", полученных методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / А. Е. Рогожин. - 2009. - 24 с. : ил. - Библиогр.: с. 22-24. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323-022.532(043)

Аннотация: Формирование слоев подзатворных диэлектриков на основе диоксидов гафния и циркония. Разработка структуры МОП транзистора с длиной канала менее 20 нм, обладающего высокими электрофизическими характеристиками, которая может быть сформирована с помощью фотолитографии с длиной волны менее 300 нм.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-4193)

Шифр в сводном ЭК: 52bfecc63a5135585b547040279acabb

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽