Полное описание

Wieteska, K. Lattice deformation studies in high energy ions implanted silicon by means of various X-ray methods / K. Wieteska, W. Wierzchowski, W. Graeff. - Dubna : [s. n.], 1996. - 14 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е14-96-185). - 300 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:548.73(04)

Рубрики:
Кремний -- Рентгеноструктурный анализ

Доп. точки доступа:
Wierzchowski, W.
Graeff, W.
Wieteska K.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/2509/Е14-96-185)

Шифр в сводном ЭК: 4c3177194d1cca35c63f6f2b0a32ea19

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽