Полное описание

Фононы в структурах на основе GaAs и AlAs: численное моделирование и эксперимент / В.А.Сачков,В.В.Болотов,В.А.Володин,М.Д.Ефремов. - Новосибирск : [б. и.], 2000. - 62 с. : ил. - (Препринт / Институт сенсорной микроэлектроники(Омск) ; 2000-01). - 100 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9:535(04)

Рубрики:
Гетеропереходы -- Оптические свойства

Доп. точки доступа:
Сачков, В.А.
Болотов, В.В.
Володин, В.А.
Ефремов, М.Д.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/57509/2000-01)

Шифр в сводном ЭК: 488221ecf40f0466b8971cc68fe457b6

Заказать издание
Заказ фрагмента документа