Полное описание

45076
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 : учебное пособие. - [Б. м.] : Новосибирский государственный технический университет, 2011 - . - URL: https://www.iprbookshop.ru/45076.html (дата обращения: 11.04.2023). - Режим доступа: ЭБС IPR SMART. - Текст : электронный.
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 / Данилов В. С. - 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц.

Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

	УДК
	621.382

	ББК
	32.85

Кл.слова (ненормированные): анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки
Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств.
Доп. точки доступа:
Раков, Ю. Н.

Перейти к просмотру издания
Обложка книги
Учебная литература:

Кол-во выдач 0

Просмотр издания ЭБС IPR SMART