Полное описание

Новиков, Ю. А. The thickness measurement of nanometer layers of SiO2 made in the process of the thermometric oxidation of silicon / Ю. А. Новиков, A. V. Rakov, I. B. Strizhkov. - Moscow : [s. n.], 1995. - 12 p. : il. - (Препринт / Институт общей физики (Москва) ; 22(1995)). - 100 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
45.09.37	621.315.61.002(04)

Рубрики:
Кремний, оксиды, пленки -- Производство

Кл.слова (ненормированные): ИЗМЕРЕНИЕ -- КРЕМНИЙ -- ОКСИД -- ПЛЕНКА -- ТОЛЩИНА
Доп. точки доступа:
Rakov, A.V.
Strizhkov, I.B.
Novikov Yu.A.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/42285/22(1995))

Шифр в сводном ЭК: 44f6a94552dfca94bf8735ac93f80499

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽