Полное описание

Dielectric properties of ion implanted silicon layers / P.Zukowski,J.Partyka,P.Wegierek и др. - Dubna : [s. n.], 1996. - 6 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е14-96-245). - 300 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:537.226(04)

Рубрики:
Кремний -- Диэлектрические свойства

Доп. точки доступа:
Zukowski, P.
Partyka, J.
Wegierek, P.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/2509/Е14-96-245)

Шифр в сводном ЭК: 4468beb6330e6582f31278168d53f717

Заказать издание
Заказ фрагмента документа