• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Кузнецов, Г. Д. Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния : особенности получения гетерокомпозиций на основе карбида кремния / Г. Д. Кузнецов, Н. И. Каргин, Г. К. Сафаралиев. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2019. - 205 с. : ил. - Библиогр.: с. 188-205 (221 назв.). - 300 экз. - ISBN 978-5-9221-1870-5. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    47.13.11621.315.592.9-047.84

    Рубрики:
    Гетероструктуры -- Производство

    Аннотация: Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники.
    Доп. точки доступа:
    Каргин, Н.И.
    Сафаралиев, Г.К.

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-19/74596)

    Шифр в сводном ЭК: 43a35d148033e047c44eb9e4be2fe2da



    Заказ фрагмента документа ₽