Полное описание

Сальников, А. Н. Заряженные дислокации и точечные дефекты в кристаллах : аналит. модели взаимодействия / А.Н.Сальников,С.Г.Гестрин. - Саратов : [б. и.], 2002. - 222 с. : ил. - 250 экз. - ISBN 5-7433-1058-0. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Сарат. гос. техн. ун-т. Библиогр.:с. 197-208 (247 назв.)

ГРНТИ	УДК
31.15.17	548.4

Рубрики:
Кристаллы -- Дефекты
Кристаллы -- Дислокации

Кл.слова (ненормированные): ДЕФЕКТ -- ДИСЛОКАЦИЯ -- КРИСТАЛЛ -- дислокация
Доп. точки доступа:
Гестрин, С.Г.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-02/78650)

Шифр в сводном ЭК: 3a2cf7e335ed657a75d75d6b78035ad4

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽