• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур : учебно-методическое пособие / Кузнецов Г. Д. - Москва : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2018. - 148 с. - URL: https://www.iprbookshop.ru/116427.html (дата обращения: 11.04.2023) . - Режим доступа: ЭБС IPR SMART. - ISBN 978-5-7262-2422-0. - Текст : электронный.
    Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.
    УДК
    539.216
    ББК
    22.379

    Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОСТРУКТУРА -- КАРБИД КРЕМНИЯ -- ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ ГЕТЕРОКОМПОЗИЦИЯ
    Аннотация: Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники.
    Доп. точки доступа:
    Кузнецов, Г. Д.
    Сафаралиев, Г. К.
    Стриханов, М. Н.
    Каргин, Н. И.
    Харламов, Н. А.

    Перейти к просмотру издания


    Держатели документа:
    Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : 143405, Московская область, г. Красногорск, ш. Ильинское, д. 1А, помещ. 17,6/ком. 5 (Шифр в БД-источнике (IPRBOOKS): 116427)

    Шифр в сводном ЭК: 33adb580775036e97934089bae924a51



    Просмотр издания ЭБС IPR SMART