Полное описание

Исследование GaAs-структур со встроенным p-m-переходом для создания координатно-чувствительных детекторов / А.П.Воробьев,В.В.Чмиль,А.В.Чунтонов и др. - Протвино : [б. и.], 1992. - 23 с. : ил. - (Препринт / Институт физики высоких энергий(Серпухов) ; ИФВЭ 92-168). - 260 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 22-23 (18 назв.)

ГРНТИ	УДК
29.15.39	539.1.074.5(04)

Рубрики:
Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые

Кл.слова (ненормированные): ИОНИЗИРУЮЩЕЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ
Доп. точки доступа:
Воробьев, А.П.
Чмиль, В.В.
Чунтонов, А.В.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/7868/ИФВЭ 92-168)

Шифр в сводном ЭК: 2bd95e77e5e5be03189d66560b0c787a

Заказать издание
Заказ фрагмента документа