Полное описание
> Pan, Y. Minority carrier transport in heavily doped silicon : diss. / Y.Pan. - Delf, 1992. - VIII,139 p. p. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.118-127
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.382.33(043) |
Рубрики:
Транзисторы биполярные
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): J2/24380)>
Шифр в сводном ЭК: 2add79f764f6eda5eef6005b8dc62efc
Заказ фрагмента документа ₽