Полное описание

116427
Тонкопленочные гетерокомпозиции на основе карбида кремния. Раздел: Физико-технологические основы получения гетероструктур : учебно-методическое пособие / Кузнецов Г. Д. - Москва : Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 2018. - 148 с. - URL: https://www.iprbookshop.ru/116427.html (дата обращения: 11.04.2023) . - Режим доступа: ЭБС IPR SMART. - ISBN 978-5-7262-2422-0 : Б. ц.

Книга находится в Премиум-версии IPR SMART.

	УДК
	539.216

	ББК
	22.379

Кл.слова (ненормированные): гетероструктура -- карбид кремния -- тонкопленочная гетерокомпозиция
Аннотация: Рассматриваются основные возможности различных методов и способов для получения тонких слоев карбида кремния на различных подложках для создания устройств экстремальной электроники. Основное внимание уделяется методам формирования микро- и наноразмерных слоев на основе карбида кремния с различной кристаллографической структурой – химическому осаждению из газовой фазы, осаждению из жидкой фазы и сублимации. Основной акцент делается на возможности использования энергетического взаимодействия на границы раздела фаз для активирования процессов образования слоев – импульсного лазерного и ионно-плазменного. Рассматривается уточненная классификация методов и способов получения тонких слоев и гетероструктур на основе карбида кремния, основанная преимущественно на физических или химических процессах на границе фазообразования. Приводятся и анализируются базовые параметры и свойства полупроводникового карбида кремния, твердых растворов SiC-III-нитриды, включая полиморфизм. Предназначено для бакалавров, магистров, инженеров, аспирантов и научных работников, специализирующихся в области экстремальной электроники.
Доп. точки доступа:
Кузнецов, Г. Д.
Сафаралиев, Г. К.
Стриханов, М. Н.
Каргин, Н. И.
Харламов, Н. А.

Перейти к просмотру издания
Обложка книги

Просмотр издания ЭБС IPR SMART