Полное описание

Ковалёв, А. Н. Квантовые точки Ge/Si / А. Н. Ковалёв. - Текст : непосредственный // Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов : тр. междунар. молодеж. конф. в рамках Фестиваля науки, 2 - 3 окт. 2012 г., Астрахань. - Астрахань, 2012. - С. 63-69. - Библиогр.: 2 назв.
ГРНТИ 47.03.13

Кл.слова (ненормированные): германий -- кремний
Аннотация: Наноструктуры, состоящие из тонких слоев германия на кремнии, вызывают возрастающий интерес в связи с перспективой их использования в различных электронных и оптоэлектронных устройствах. В частности, одно из важных применений связано с осуществлением в таких структурах квазипрямозонной люминесценции для создания на базе кремниевой интегральной технологии излучателей в области длин волн вблизи 1,5 мкм, необходимых для оптоволоконных систем связи. Квазипрямые переходы в непрямозонных полупроводниках возможны при локализации свободных носителей заряда. Такая локализация наблюдается в многослойных гетероструктурах Ge/Si и SiGe/Si. Электроны при этом локализуются в квантовой яме (КЯ) кремния, а дырки - в КЯ германия. Другая возможность локализации связана с явлением самоорганизации на поверхности кремния под действием гетероэпитаксиальных напряжений с образованием ансамблей нанокластеров - квантовых точек. Рассмотрены процессы, протекающие при образовании упорядоченных наноразмерных структур на основе твердых растворов Si - Ge, а также их свойства.

Имеются экземпляры в отделах: всего -20130723 : ПНТ (-20130723)
Свободны: ПНТ (1)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -370837-164912)

Шифр в сводном ЭК: 061799ac1e0e9c1b31fe2ef997b1c294

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽