Полное описание

Карабешкин, К. В. Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и альфа-C: Н облучением ионами RFn средних энергий : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.04, 01.04.10 / К. В. Карабешкин. - 2013. - 18 с. : ил. - Библиогр.: с. 17-18 . - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.13.33	621.315.592:669.046.516(043)

Кл.слова (ненормированные): ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар13-6085)

Шифр в сводном ЭК: 0514c8538be57824d862d8bb642a558c

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽